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J-GLOBAL ID：201702255041944014   整理番号：17A0937101

加熱プローブリソグラフィーによるGeTe相変化膜のナノパターン形成【Powered by NICT】

Nanopatterning of GeTe phase change films via heated-probe lithography

著者 (10件)： Podpirka Adrian (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA. [e-mail]) ,  Lee Woo-Kyung ,  Ziegler Jed I. ,  Brintlinger Todd H. ,  Felts Jonathan R. ,  Simpkins Blake S. ,  Bassim Nabil D. ,  Laracuente Arnaldo R. ,  Sheehan Paul E. ,  Ruppalt Laura B.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 25  ページ： 8815-8824  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質テルル化ゲルマニウム(GeTe)薄膜の結晶化は熱A FMプローブからの熱を用いたナノスケール分解能で制御した。非晶質および結晶質GeTe相の間の劇的な差は強い地形的,電子的および光学的コントラストを持つ埋込まれたナノスケール特徴をもたらした。走査型プローブリソグラフィーの柔軟性が特徴の幅と深さ,並びにそれらの結晶化の程度,プローブ温度と書込み速度を変えることによって制御を可能にした。まとめると,これらの技術はナノエレクトロニクスとオプトエレクトロニクスデバイス作製への新しいアプローチを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： コントラスト ,  薄膜 ,  *リソグラフィー ,  柔軟性 ,  結晶化 ,  結晶 ,  非晶質 ,  *プローブ ,  *相転移
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  ナノスケール ,  テルル化ゲルマニウム ,  *ナノパターニング ,  *GeTe ,  *熱プローブ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (5件)： プローブ ,  リソグラフィー ,  GeTe ,  相変化 ,  ナノパターン形成