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J-GLOBAL ID：201702255049100349   整理番号：17A0473410

Mn吸着したg C_3N_4の光触媒改善【Powered by NICT】

Photocatalytic improvement of Mn-adsorbed g-C₃N₄

著者 (11件)： Zhang Weibin (Department of Physics, Dongguk University, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Zhang Zhijun (Department of Physics, Dongguk University, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Zhang Zhijun (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai, 200072, PR China) ,  Kwon Sanwoo (Department of Physics, Dongguk University, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Zhang Fuchun (College of Physics and Electronic Information, Yanan University, Yanan, 716000, PR China) ,  Stephen Boandoh (Energy and Materials Engineering Department, Dongguk University, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Kim Ki Kang (Energy and Materials Engineering Department, Dongguk University, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Jung Ranju (Department of Electrical and Biological Physics, Kwangwoon University, Seoul, 01897, Republic of Korea) ,  Kwon Sera (Department of Physics, Dongguk University, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Chung Kwun-Bum (Department of Physics, Dongguk University, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Yang Woochul (Department of Physics, Dongguk University, Seoul, 04620, Republic of Korea)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 206  ページ： 271-281  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,実験結果と理論計算を採用した高効率で有力な光触媒としてMn吸着g C_3N_4を調べた。Mnを要素として選択した,3d遷移金属の中で,最も高い結合エネルギー,最も適切なバンド端位置を示すからである。Mn吸着g C_3N_4の光触媒効率は,純粋なg C_3N_4のそれの3倍高かった。相および表面形態における小さな変化が観察され,これは効率を改善するための決定因子ではないことを確認した。高い光触媒効率に影響する因子はMn吸着後の電子構造,光吸収,およびバンド端変化。Mn原子は安定したN原子と結合し,強い吸収エネルギーとイオン結合によるものであった。,Mn吸着後g C_3N_4バンドギャップの減少は,吸収バンド端の赤方偏移をもたらした。ハーフフィルドMnの3d状態が禁制バンドギャップ中に不純物状態があり,それは電荷キャリアの寿命を増加させるであろうを紹介した。添加では,Mn吸着g C_3N_4のバンド端の上方シフトは,電子-正孔再結合の抑制をもたらした。結果として,Mn吸着g C_3N_4の光触媒効率は,前述の効果の組合せにより増強された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 赤方偏移 ,  *吸着 ,  密度汎関数法 ,  イオン結合 ,  結合エネルギー ,  不純物準位 ,  *光触媒 ,  バンドギャップ ,  光吸収 ,  吸収バンド ,  *マンガン
準シソーラス用語： 電子-正孔再結合 ,  電荷キャリア ,  表面形態 ,  バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論 ,  g C_3N_4 ,  Mn吸着 ,  Photocatalyst

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (3件)： Mn ,  吸着 ,  光触媒