Agナノワイヤ電極と上部発光構造に基づく高い柔軟性と明るいエレクトロルミネセンスデバイス【Powered by NICT】

Liang Guojin; Hu Haibo; Liao Lei; He Yunbin; Ye Changhui

文献

J-GLOBAL ID：201702255056910031 整理番号：17A1121856

Agナノワイヤ電極と上部発光構造に基づく高い柔軟性と明るいエレクトロルミネセンスデバイス【Powered by NICT】

Highly Flexible and Bright Electroluminescent Devices Based on Ag Nanowire Electrodes and Top-Emission Structure

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著者 (5件)：

Liang Guojin

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(Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Ministry-of-Education Key Laboratory of Green Preparation and Application for Functional Materials, Faculty of Materials Science and Engineering, Hubei University, Wuhan, 430062, China)

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Hu Haibo

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(Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Technology and Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)

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資料名：

Advanced Electronic Materials (Advanced Electronic Materials)

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巻： 3 号： 3 ページ： null 発行年： 2017年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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高柔軟性と明るい交流エレクトロルミネセンス素子は,トップと底部両電極としてトップエミッション構造とAgナノワイヤを設計し,作製した。デバイスは高輝度(957cd m~ 2@195Vと2kHz),及び前例のない柔軟性と機械的安定性を示し,6.5%を歪に耐えるおよび1000曲げ回復サイクル後に88.4%輝度を維持することができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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