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J-GLOBAL ID：201702255079029193   整理番号：17A1926519

Fドーピング,NドーピングとF+N共ドープNaNbO3の電子構造と光触媒性能の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First Principles Study on the Electronic Structure And Potocatalytic Properties of F-doped, N-doped and F+N Codoped NaNbO3

著者 (4件)： Han Xiaodong (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景徳鎮,333403) ,  Zhou Shulan (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景徳鎮,333403) ,  Zhao Xian (山東大学晶体材料国家重点実験室,山東 済南,250100) ,  Jiang Xiangping (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景徳鎮,333403)
資料名： Taoci Xuebao  (Taoci Xuebao)
巻： 38  号： 4  ページ： 511-517  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3674A  ISSN： 1000-2278  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,密度関数理論に基づく第一原理法を用いて,Fドーピング,NドーピングおよびF+N共ドープNaNbO3の結晶構造,形成エネルギー,電子構造およびバンド端位置を研究した。結果により、F、Nの単ドーピングと共ドーピングはNaNbO3の格子を歪ませ、共ドーピング時に単位胞の体積が最大で、Fドーピングの形成エネルギーはNドーピングより大きく、共ドーピングの形成はNドーピングより低いことが分かった。したがって,Fの導入は,Nドーピング量を増加させることができ,そして,Fドーピングは,伝導帯の底部におけるNb4dの部分占有状態を形成し,そして,バンドギャップを0.46eV減少させることができた。Nドーピングは価電子帯の上に部分的に占有されたN2p電子状態を形成し、その光吸収を可視光範囲まで拡張させた。F+N共ドーピングはF,Nの単一ドーピングの部分占有状態を取り除き,強い酸化還元能力を有し,可視光下での水の分解に対して非常に重要である可能性がある。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  密度汎関数法 ,  結晶構造 ,  *第一原理 ,  可視光 ,  酸化還元反応 ,  伝導バンド ,  電子状態 ,  バンドギャップ ,  *ドーピング ,  光吸収 ,  *触媒活性
準シソーラス用語： 単位格子 ,  共ドーピング ,  形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： electronic structure ,  F+N codoping ,  first principle ,  relative position of band edge ,  defect formation energy

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドーピング ,  ドープ ,  電子構造 ,  触媒性能 ,  第一原理 ,  研究