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J-GLOBAL ID：201702255103427349   整理番号：17A1249170

グラフェンと金属接触における電気磁場調節可能なトンネリング確率の証拠【Powered by NICT】

Evidence of electric field-tunable tunneling probability in graphene and metal contact

著者 (6件)： Peng Songang (High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China. [e-mail]) ,  Jin Zhi ,  Zhang Dayong ,  Shi Jingyuan ,  Zhang Yanhui ,  Yu Guanghui
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 27  ページ： 9520-9528  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-グラフェン接触抵抗は,グラフェントランジスタの高性能を達成するために重要なボトルネックであると同定した。グラフェンの電気的性質と接触金属下でのキャリア輸送機構を理解することが重要である。,金属接触下でのグラフェンの電気的性質を特性化する新しい方法を開発した。金属下のグラフェンの電気的性質は,バックゲート電圧と表示両極性挙動によって調整できることが分かった。グラフェン-金属物理的接触のための量子トンネリングモデルを提案した。電気同調トンネル効果の確率を初めて測定の結果から導出した。モデルは,グラフェンがより高濃度にドープされた場合でも,物理的接触の接触抵抗は100Ωμmよりはるかに低いことができ,界面層が除去されることを予測した。テラヘルツ応用のためのグラフェン素子における超低グラフェン-金属接触抵抗を達成するための道を開くものである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トンネル効果 ,  同調 ,  *グラフェン ,  テラヘルツ波 ,  接触抵抗 ,  キャラクタリゼーション ,  *金属 ,  ドーピング ,  電圧 ,  *磁場 ,  電気的性質
準シソーラス用語： 量子トンネル効果 ,  両極性 ,  バックゲート ,  キャリア輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  磁場 ,  調節 ,  トンネリング確率 ,  証拠