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J-GLOBAL ID：201702255110792815   整理番号：17A0924869

ReS_2とReSe_2単分子層の電子的および光学的性質に及ぼす遷移金属ドーピングの影響【Powered by NICT】

Influence of transition metal doping on the electronic and optical properties of ReS₂ and ReSe₂ monolayers

著者 (4件)： Obodo Kingsley Onyebuchi (University of South Africa, Pretoria, 0001, South Africa. [e-mail]) ,  Ouma Cecil Napthaly Moro ,  Obodo Joshua Tobechukwu ,  Braun Moritz
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 29  ページ： 19050-19057  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子機械的計算により遷移金属をドープした三斜晶系単層二硫化レニウムと二セレン化(ReS_2とReSe_2)の構造的,電子的および光学的性質を調べた。ReS_2とReSe_2単分子層の計算した電子バンドギャップはそれぞれ1.43eVと1.23eV,非磁性基底状態を示した。Reに富むとX(SまたはSe)リッチの両条件下で計算したドーパント置換エネルギーは,遷移金属をドープしたReX_2(XはSまたはSe)単分子層系を合成実験的に可能であることを示す。ReS_2とReSe_2単分子層中のドーパントイオン(V,Cr,Mn,Fe,Co,Nb,Mo,TaおよびWのような)の存在は,欠陥準位の導入との状態密度プロファイルの修飾とそれらの電子基底状態をかなり変化させることを見出した。しかし,Mnドープ構造は電子バンドギャップの非常に微小な減少を示すことが分かった。強磁性または非磁性基底状態配置はReS_2とReSe_2単分子層中のドーパントイオンの選択に依存して得られたことを見出した。Cr,FeおよびCoドーピングはReX_2構造の強磁性基底状態配置を生じた。計算された吸収と反射率スペクトルは,このクラスのドーパントが吸収スペクトルピークの一般的な増加が,反射率に及ぼす微小影響を引き起こすことを示した。光学異方性はxy面における偏光の方向が平行または垂直のいずれかかどうかに依存して観察された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  *光学的性質 ,  *電気的性質 ,  *単分子層 ,  *レニウム化合物 ,  *硫化物 ,  *セレン化物 ,  量子論 ,  三斜晶系 ,  バンドギャップ ,  基底状態 ,  ドーパント ,  欠陥準位 ,  強磁性 ,  反射スペクトル ,  吸収スペクトル ,  反射率 ,  異方性 ,  偏光 ,  吸収係数 ,  結晶構造 ,  スピン分極 ,  周波数依存性
準シソーラス用語： *セレン化レニウム ,  光学異方性 ,  *硫化レニウム(IV)

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  電子 ,  光学的性質 ,  遷移金属ドーピング