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J-GLOBAL ID：201702255149594458   整理番号：17A1869211

単軸[110]応力シリコン電子移動度【JST・京大機械翻訳】

Electron Mobility in Silicon Under Uniaxial [ 110 ] Stress

著者 (5件)： Ma Jianli (安徽理工大学力学与光電物理学院,淮南,232001) ,  Fu Zhifen (安徽理工大学力学与光電物理学院,淮南,232001) ,  Li Yang (安徽理工大学力学与光電物理学院,淮南,232001) ,  Tang Xudong (安徽理工大学力学与光電物理学院,淮南,232001) ,  Zhang Heming (西安電子科技大学微電子学院,西安,710071)
資料名： Jisuan Wuli  (Jisuan Wuli)
巻： 34  号： 4  ページ： 483-488  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2538A  ISSN： 1001-246X  CODEN： JIWUEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 一軸[110]応力下でのシリコンの伝導バンド構造をk・p摂動法により調べ,一軸[110]応力シリコンの伝導バンドの底エネルギーと電子有効質量を得た。これらに基づいて,電子谷間,谷内および電離不純物の散乱を考慮して,緩和時間近似を用いて,異なる結晶方向に沿った一軸[110]応力シリコンの電子移動度を計算した。結果は以下を示した。単軸[110]応力下でのシリコンの電子移動度は明らかな異方性を示した。[001]、[110]及び[110]の結晶方向において、引張応力下で電子が[110]結晶に沿って輸送される時に、移動度が大きく増強された。応力を受けない場合の1450cm2・Vs-1から2GPaの応力下で2500cm2・Vs-1まで向上した。移動度の増強の主な原因は電子有効質量の減少であり、応力作用下でのシリコン伝導バンドの分裂による谷間散乱確率の減少は電子移動度に対する影響が顕著ではない。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  緩和時間 ,  *一軸 ,  結晶方位 ,  引張応力 ,  伝導バンド ,  イオン化 ,  散乱 ,  有効質量 ,  *ケイ素 ,  *移動度 ,  不純物 ,  結晶
準シソーラス用語： k・p法 ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： uniaxial stressed silicon ,  conduction band structure ,  scattering ,  electron mobility

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単軸 ,  応力 ,  シリコン ,  電子移動度