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J-GLOBAL ID：201702255209974281   整理番号：17A0759452

シリコン上に成長させたMg注入GaN層のキャッピング安定性【Powered by NICT】

Capping stability of Mg-implanted GaN layers grown on silicon

著者 (13件)： Lardeau-Falcy Aurelien (Universite Grenoble Alpes, 38000, Grenoble, France) ,  Lardeau-Falcy Aurelien (CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054, Grenoble, France) ,  Coig Marianne (Universite Grenoble Alpes, 38000, Grenoble, France) ,  Coig Marianne (CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054, Grenoble, France) ,  Charles Matthew (Universite Grenoble Alpes, 38000, Grenoble, France) ,  Charles Matthew (CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054, Grenoble, France) ,  Licitra Christophe (Universite Grenoble Alpes, 38000, Grenoble, France) ,  Licitra Christophe (CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054, Grenoble, France) ,  Baines Yannick (Universite Grenoble Alpes, 38000, Grenoble, France) ,  Baines Yannick (CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054, Grenoble, France) ,  Eymery Joeel (Grenoble Alpes University, CEA INAC-MEM-NRS, 38054, Grenoble Cedex 9, France) ,  Mazen Frederic (Universite Grenoble Alpes, 38000, Grenoble, France) ,  Mazen Frederic (CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054, Grenoble, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600487  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)上に成長させたMgイオン注入したGaN層(2μm厚)の活性化アニーリング中の形態学的安定性はいくつかの保護層のための研究とcmであった。~ 2~10~13 10~15fluenciesである。GaN蒸着直後のその場成長させた数ナノメートルの厚さのAlN及びSiN_xスタックより構成される薄いキャッピングはN_2中1100°Cで1h焼鈍まで平坦形態とひずみの無い亀裂を保持する良好な解を提供することを示した。これらの結果は,N_2中1200°Cで1hまでの熱収支に耐えることを注入後に析出したSi_3N_4またはSiO_2のAlN層を持つより厚い保護積層と比較した。高温アニーリング中の限界GaN損傷に対するこれらの異なるキャップ層の効率はキャップ回復力に及ぼすMg注入プロセスの影響を研究した。GaN層の品質は,構造/光学的欠陥及びMg関連錯体を分析するために低温光ルミネセンスによって研究した。X線回折は種々のプロセス段階で残留歪を評価した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  焼なまし ,  窒化アルミニウム ,  *マグネシウム ,  残留歪 ,  高温 ,  モルフォロジー ,  低温 ,  形態 ,  *窒化ガリウム ,  光ルミネセンス ,  亀裂 ,  イオン注入
準シソーラス用語： キャップ層 ,  保護層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： キャップ層 ,  GaN ,  イオン注入 ,  p型ドーピング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  成長 ,  Mg ,  注入 ,  GaN ,  キャッピング ,  安定性