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J-GLOBAL ID：201702255267935660   整理番号：17A0965698

異なる前駆体を用いた充填によるWゲートを特徴とする22nm PMOSの低周波雑音特性【Powered by NICT】

Low frequency noise characterization of 22nm PMOS featuring with filling W gate using different precursors

著者 (10件)： Liang He (Imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium) ,  Simoen Eddy (Imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium) ,  Claeys Cor (Imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium) ,  Wang Guilei (Key laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Luo Jun (Key laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhao Chao (Key laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Li Junfeng (Key laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Hua Chen (School of Advanced |Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710126, China) ,  Yin Hu (School of Advanced |Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710126, China) ,  Xiaoting Qin (School of Advanced |Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710126, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiH_4またはB_2H_6,異なる前駆体を用いたWゲート充填式を特徴とする22nm Si pMOSFETの低周波雑音挙動を研究した。キャリア数と相関移動度ゆらぎはフリッカ雑音の基礎となる機構であることを示した。B_2H_6W処理したゲート金属を備えたデバイスはSiH_4W処理ゲート金属よりも高い平均トラップ密度と散乱係数を持つことが分かった。添加では,ゲート電圧依存性およびゲート電圧非依存性生成-再結合(GR)雑音ピークを見出したが,このことは,ゲート酸化物あるいは空乏領域中のトラップにそれぞれ帰属した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 1/f雑音 ,  再結合 ,  *前駆体 ,  *雑音 ,  移動度 ,  ゆらぎ ,  電圧依存性 ,  *低周波雑音
準シソーラス用語： ゲート酸化物 ,  ゲート電圧 ,  散乱係数 ,  トラップ密度 ,  pMOSFET ,  *PMOS構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 前駆体 ,  ゲート ,  PMOS ,  低周波 ,  雑音特性