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J-GLOBAL ID：201702255268221492   整理番号：17A0445231

2,7-ジオクチル[1]benzothieno[3,2-b]ベンゾチオフェン(C8BTBT)上のコバルト蒸着の界面の化学構造と電子構造【Powered by NICT】

Interfacial chemical and electronic structure of cobalt deposition on 2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b]benzothiophene (C8-BTBT)

著者 (15件)： Zhu Menglong (Institute of Super-Microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Zhu Menglong (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Lyu Lu (Institute of Super-Microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Lyu Lu (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Niu Dongmei (Institute of Super-Microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Niu Dongmei (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Zhang Hong (Institute of Super-Microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Zhang Hong (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Zhang Yuhe (Institute of Super-Microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Zhang Yuhe (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Liu Peng (Institute of Super-Microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Liu Peng (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Gao Yongli (Institute of Super-Microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Gao Yongli (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Gao Yongli (Department of Physics and Astronomy, University of Rochester, Rochester NY14627, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 402  ページ： 142-146  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2,7-ジオクチル[1]benzothieno[3,2-b]ベンゾチオフェン(C8-BTBT)上のCo堆積の界面化学と電子構造を,紫外光電子放出分光法(UPS)とX線光電子分光法(XPS)により調べた。界面でのC8-BTBTによるコバルトの化学反応は2sピークC8-BTBT分子の元のそれに比べて電子豊富であればあるほどの新しい成分によって確認された。XPSの内殻準位の強度変化は,Co原子の吸着は主にC8-BTBT層へのより深い拡散を伴わない表面でことを示した。Co原子の初期堆積は下方に孤立したCo原子またはクラスタからの電子移動によるC8-BTBTの内殻準位をシフトC8-BTBT。Coの堆積は上方に厚い金属Co膜の中和のために,C8-BTBTの内殻準位をシフトした。著者らの研究は,反応や分解から有機層を保護し,電子と正孔の両方のためのキャリア障壁を低下させるCo/C8BTBTベースOFETの性能を改善するために挿入した不活性バッファ層を示唆している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子放出 ,  *コバルト ,  光電子分光法 ,  *電子構造 ,  正孔 ,  X線光電子分光法 ,  界面化学 ,  *界面 ,  電子移動 ,  紫外線 ,  バッファ層 ,  内殻準位 ,  硫黄複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物
準シソーラス用語： 有機FET ,  *化学構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光電子分光(PES) ,  インタフェイス ,  C8BTBT ,  Co

分類 (3件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

物質索引 (1件)： ベンゾチオフェン

タイトルに関連する用語 (6件)： ベンゾチオフェン ,  コバルト ,  蒸着 ,  界面 ,  化学構造 ,  電子構造