抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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第一原理計算のSiテクノロジーへの応用例として,育成中の単結晶Siに関わり,(1)熱圧縮応力の点欠陥挙動への影響,(2)固液界面近傍の点欠陥挙動についての最近の結果について報告する。まず(1)に関しては,Voronkovの臨界v/Gへの熱圧縮応力の影響を,点欠陥の形成・拡散エンタルピーの第一原理計算により定量評価した。その結果,30MPa程度の熱圧縮応力で臨界v/G値は30%程度低下し,無欠陥Si結晶がV優勢に傾くことがわかった。この結果は,450mm直径の無欠陥Si結晶育成において,熱応力の影響を考慮した臨界v/Gを用いる点欠陥制御が必要であることを示している。さらに(2)の固液界面近傍の点欠陥挙動に関しては,ミクロスコピックな解析を行い,界面において取り込まれる点欠陥種に優劣がないことがわかった。この結果は,長年正統的と考えられているVoronkovモデルの妥当性を裏打ちするものである。(著者抄録)
