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J-GLOBAL ID：201702255510351007   整理番号：17A0716731

ナノスケール真空チャネルトランジスタ

Nanoscale Vacuum Channel Transistor

著者 (3件)： HAN Jin-Woo (NASA, California, USA) ,  MOON Dong-Il (NASA, California, USA) ,  MEYYAPPAN M. (NASA, California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 4  ページ： 2146-2151  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外来材料を使用せずにトップダウンのシリコン技術を用いてナノスケール真空チャネルトランジスタ(NVCT)を製作した。ゲートによる真空チャネル制御を最大化するために円筒状真空チャネルを囲むゲート構造を採用した。ホトレジストのトリミングと局所犠牲酸化プロセスにより標準的な0.18μm製造環境のリソグラフィ限界に打ち勝ち,真空チャネル長(ソース-ドレイン)が50nm,チャネル半径(ソース-ゲート)が10nmの素子を達し,サブ5V動作と高い駆動電流(>3μA)を得た。50nmの真空チャネル長は雰囲気圧力下の空気分子の平均自由行程より短く,従って空気チャネルは準真空であり,真空の要求を軽減する。有限要素法に依るシミュレーションを用いて,静電場強化に対するサラウンドゲートと他の多重ゲート構造を比較した。室温及び高温における電流電圧特性とそれらのパラメトリックな統計を与えた。γ線及び陽子線照射に対する耐性もまた調べた。

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *チャネル ,  *真空 ,  ゲート【半導体】 ,  円筒 ,  立体構造 ,  電流電圧特性 ,  耐放射線性 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： サラウンドゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノスケール ,  真空 ,  チャネル ,  トランジスタ