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J-GLOBAL ID：201702255529901306   整理番号：17A1096382

水素終端ダイヤモンド(001)表面上のAuオーミックコンタクトの障壁高さの直接定量【Powered by NICT】

Direct determination of the barrier height of Au ohmic-contact on a hydrogen-terminated diamond (001) surface

著者 (6件)： Kono S. (Dept. of Electric Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University, Sagamihara 252-5258, Japan) ,  Teraji T. (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Takeuchi D. (Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Ogura M. (Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Kodama H. (Dept. of Electric Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University, Sagamihara 252-5258, Japan) ,  Sawabe A. (Dept. of Electric Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University, Sagamihara 252-5258, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 73  ページ： 182-189  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほう素をドープしたダイヤモンド(001)基板上に作製した水素終端p型表面伝導層(SCL)上のAuオーミックコンタクトの障壁高さφ_BをX線光電子分光法(XPS)により決定した。この目的のために,Auの薄い層(厚さ~3.6nm)はp型SCL上に堆積した。nmサイズのAu島の形成を走査電子顕微鏡により同定した。,Cの1s XPSスペクトルは,Auアイランド間のギャップ領域におけるダイヤモンドからではなくAu島の下のダイヤモンドから生じることが明らかになった。二次元エネルギーバンド・シミュレーションから,SCLはギャップ領域にのみ除去されるときAuアイランド間のギャップ領域におけるダイヤモンドバンド図がAu島の下のダイヤモンドのそれに効果的に同一であることを示すために実施した。ギャップ領域のみでSCLを除去するために,VUV/オゾン照射プロセスはAu島被覆試料に適用した。C(1s)とAu4f_7/2XPSスペクトルは真空紫外/オゾン照射プロセス前後の試料を測定した。C(1s)とAu4f_7/2XPSスペクトルのピーク結合エネルギーと幅を注意深くφ_B=0.29±0.13eVという結論に達すると考えられている。ほう素をドープした本基板では,AuのOhm接触における電流の流れ機構は熱電子放出であると期待され,比接触抵抗Rは10~ 4Ωcm~2のオーダであると評価した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  *Ohm接触 ,  ドーピング ,  *ダイヤモンド ,  結合エネルギー ,  スペクトル ,  オゾン ,  X線光電子分光法 ,  *金 ,  熱電子放出 ,  シミュレーション ,  ホウ素
準シソーラス用語： 表面伝導 ,  *障壁高さ ,  *水素終端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 水素終端ダイヤモンド ,  表面伝導率 ,  Au ,  Ohm接触 ,  障壁高さ ,  X線光電子分光法

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素終端 ,  ダイヤモンド ,  Au ,  オーミックコンタクト ,  障壁高さ ,  直接定量