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J-GLOBAL ID:201702255536955923   整理番号:17A1399196

シリコンと窒化けい素プラットホームのための広帯域および高性能デバイス【Powered by NICT】

Broadband and high-performance devices for the silicon and silicon-nitride platforms
著者 (13件):
資料名:
巻: 2017  号: ICTON  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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光ネットワークのための高いデータ速度と小さな形状因子機器の需要増加は,小フットプリントと広い帯域幅をもつ集積光デバイスの研究を燃料である。ここでは,シリコン中の格子結合器のための新しい設計アプローチと広帯域動作との高効率結合を可能にする窒化けい素プラットフォームを提示した。さらに,通信波長における帯域幅の300nm以上にわたる仮想完全な性能を提供するコンパクトな集積導波路スプリッタに関する実験的知見を報告した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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光通信方式・機器  ,  その他の光伝送素子 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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