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J-GLOBAL ID：201702255600586790   整理番号：17A0399712

4H-SiC上のB_12P_2の水素化物CVDヘテロエピタクシー【Powered by NICT】

Hydride CVD Hetero-epitaxy of B₁₂P₂ on 4H-SiC

著者 (6件)： Frye C.D. (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA 94550, USA) ,  Frye C.D. (Kansas State University, Department of Chemical Engineering, Durland Hall, Manhattan, KS 66506, USA) ,  Saw C.K. (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA 94550, USA) ,  Padavala Balabalaji (Kansas State University, Department of Chemical Engineering, Durland Hall, Manhattan, KS 66506, USA) ,  Nikolic R.J. (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA 94550, USA) ,  Edgar J.H. (Kansas State University, Department of Chemical Engineering, Durland Hall, Manhattan, KS 66506, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 459  ページ： 112-117  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二十面体リン化ホウ素(B_12P_2)は高エネルギー電子衝撃による「自己修復」ことが報告され,放射性同位体電池,放射線検出における潜在的使用のために,または高放射線環境におけるエレクトロニクスにおける魅力的にされてきたワイドバンドギャップ半導体(3.35eV)である。H_2キャリアガス中のB_2H_6とPH_3前駆体を用いた1250 1450°Cの温度範囲で4H-SiC基板上に成長させてB_12P_2ヘテロエピタキシャル膜を改善することに焦点を当てた。XRDスキャンとLaue透過写真は,エピタキシャル関係は(0001)<112 0>B12P2//(0001)<112 0>4H-SiCであることを明らかにした。膜の形態と結晶度は成長温度と成長時間の関数として研究した。1250°Cでは,膜は粗い多結晶層を形成する傾向があったが,1300°Cと1350°Cで,膜は連続および比較的滑らかな(R RMS≦7 nm)1400または1450°Cで,膜は厚くなった膜は合体している島で成長した。結晶品質を評価するためのXRDロッキング曲線を用いて,1300°Cが試験された最適成長温度が1300°Cで,ロッキングカーブFWHMは2.7μm厚膜1.1μm厚膜の膜厚の増加1494arcsecから954arcsecに減少し,厚さによる欠陥の減少を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： FWHM ,  キャリアガス ,  多結晶 ,  X線回折 ,  *ヘテロエピタクシー ,  厚膜 ,  *炭化ケイ素 ,  電子技術 ,  膜厚 ,  結晶度 ,  ロッキングカーブ
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  成長温度 ,  エピタキシャル膜 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3化学蒸着過程 ,  A3水素化物気相エピタクシー ,  B1ほう化物 ,  B2半導性ほう化物化合物

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  水素化物 ,  CVD ,  ヘテロエピタクシー