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J-GLOBAL ID：201702255665711568   整理番号：17A1297906

(K_0.5Na_0.5)NbO₃-Bi(Mg_0.5Zr_0.5)O₃セラミックの良好な高温安定性と改善された圧電特性

Good high-temperature stability and improved piezoelectric properties of (K_0.5Na_0.5)NbO₃-Bi(Mg_0.5Zr_0.5)O₃ ceramics

著者 (6件)： CHEN Xiuli (Guilin Univ. Technol., Guilin, CHN) ,  LIU Gaofeng (Guilin Univ. Technol., Guilin, CHN) ,  HUANG Guisheng (Guilin Univ. Technol., Guilin, CHN) ,  LI Xiaoxia (Guilin Univ. Technol., Guilin, CHN) ,  YAN Xiao (Guilin Univ. Technol., Guilin, CHN) ,  ZHOU Huanfu (Guilin Univ. Technol., Guilin, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 17  ページ： 13126-13131  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (1-x)KNN-xBMZ(0.0≦x≦0.02)固溶体鉛フリーセラミックを固体反応法で制作した。セラミックの圧電および誘電性はBMZ添加によって大きく向上した。粉末XRDによると,BMZはKNN中に拡散して新しいペロブスカイト構造を作っている。BMZの添加は斜方晶-正方晶相転移温度を205から136°Cに低下させ,正方晶-擬立方晶相転移温度(Curie点)を419から397°Cに低下させた。制作したセラミックは純粋のKNNよりも高い比誘電率と低い誘電損失を示した。特に,x=0.0075でセラミックはε=2024の高い比誘電率,tanδ<3.8%の低い誘電損失,Δε/ε_143°C≦±10%の熱安定性を143~337°Cの広い温度範囲に亘って示した。更に,x=0.005の時に圧電係数はd₃₃=118pC/Nに改善された。BMZ添加セラミックは圧電や熱安定性デバイスに使用可能である。

シソーラス用語： *圧電セラミック ,  カリウム化合物 ,  ナトリウム化合物 ,  ニオブ酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  ジルコニウム化合物 ,  酸化物 ,  特性 ,  セラミック ,  固相反応 ,  誘電性 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  転移温度 ,  Curie温度 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  *熱安定性 ,  定数 ,  画像
準シソーラス用語： Curie点 ,  SEM画像 ,  *ニオブ酸カリウムナトリウム ,  ペロブスカイト構造 ,  圧電係数 ,  *圧電特性 ,  固体反応 ,  相転移温度 ,  比誘電率

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： O3 ,  セラミック ,  安定性 ,  圧電特性