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J-GLOBAL ID：201702255725969471   整理番号：17A0911472

折畳み増幅器周波数逓倍器としての量子井戸シリコンNMOSトランジスタの応用【Powered by NICT】

Application of a Quantum-Well Silicon NMOS Transistor as a Folding Amplifier Frequency Multiplier

著者 (9件)： Naquin Clint (Texas Instruments, Dallas, TX, USA) ,  Cai Yongda (University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Hu Gangyi (University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Lee Mark (University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Chiu Yun (University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Edwards Hal (Texas Instruments, Dallas, TX, USA) ,  Mathur Guru (Texas Instruments, Dallas, TX, USA) ,  Chatterjee Tathagata (Texas Instruments, Dallas, TX, USA) ,  Maggio Ken (Texas Instruments, Dallas, TX, USA)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 3  ページ： 224-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,周波数二倍化と三倍化を可能にする折畳まれた電流-電圧伝達関数を生成するために単一量子井戸(QW)シリコンNMOSトランジスタの使用について報告した。QW NMOSデバイスは工業的に標準45nm技術ノードCMOS加工ラインに完全に作製した。QWを通る量子輸送はI_DS V_G機能を折畳まれた負性微分相互コンダクタンスが得られた。二つのそのようなしゅう曲を用いて,時間領域データは,室温でkHz範囲で周波数逓倍を示し,Fourier解析は,出力が入力の第二高調波によって支配されていることを確認した。全高調波歪は約 14dBであった。寄生ケーブルと接触インピーダンスの周波数応答をDe埋め込み回路にモノリシックに集積した場合QW NMOSトランジスタの固有の二倍化帯域幅はGHz10程度に達することができることを示唆した。QW NMOSの高周波性能をデバイスの比較的高いトランスレジスタンス大きさによって制限される。周波数三倍化も三倍を持つ単一量子井戸NMOSを用いて示すことができた。QW NMOSデバイスの高周波性能限界の確立に役立った。回路応用で使用される主流CMOS技術により作製したシリコン量子デバイスの最初の例である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： CMOS ,  *量子井戸 ,  相互コンダクタンス ,  伝達関数 ,  帯域幅 ,  *ケイ素 ,  接触抵抗 ,  *増幅器 ,  HF【周波数】 ,  電流 ,  周波数応答 ,  *NMOS構造 ,  *倍周器 ,  電圧 ,  *周波数逓倍

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 折畳み ,  増幅器 ,  周波数逓倍器 ,  量子井戸 ,  シリコン ,  NMOS ,  トランジスタ ,  応用