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J-GLOBAL ID：201702255768878668   整理番号：17A0953341

アモルファスシリコン酸化物不働態化ヘテロ接合太陽電池用ワイドギャップ微結晶炭化ケイ素エミッタ

Wide gap microcrystalline silicon carbide emitter for amorphous silicon oxide passivated heterojunction solar cells

著者 (7件)： POMASKA Manuel (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  RICHTER Alexei (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  LENTZ Florian (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  NIERMANN Tore (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  FINGER Friedhelm (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  RAU Uwe (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  DING Kaining (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 2  ページ： 022302.1-022302.6  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドギャップn型微結晶炭化ケイ素[μc-SiC:H(n)]は高い電気伝導度と高い光透過性を併せもつため,シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の窓層材料として非常に適している。しかし,結晶性の高いμc-SiC:H(n)の熱線気相化学成長(HWCVD)は,真正アモルファスシリコン酸化物[a-SiOx:H(i)]の表面不働態化を強く劣化させる,高い水素ラジカル密度をガス相内に必要とする。μc-SiC:H(n)とa-SiO_x:H(i)の間にn型微結晶シリコン酸化物[μc-SiO_x:H]保護層を導入することで,エッチング耐性の提供と水素ラジカルの拡散防止による不働態化の劣化を防ぐことができる。前面にμc-SiC:H(n)/μc-SiO_x:H(n)/a-SiO_x:H(i)スタックをもつ太陽電池を作製し,SHJ太陽電池内に実装されたこのようなスタックの可能性を評価し,デバイスの保護層の限界パラメータを特定するため,μc-SiOx:H(n)の微細構造を変えてμc-SiO_x:H(n)の材料特性を変化させた。この手法により,平面太陽電池に対し677mVの最大開回路電圧および18.9%の最大エネルギー変換効率を達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  化合物半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  *微結晶 ,  *光学窓 ,  化学蒸着 ,  *積層構造 ,  *酸化ケイ素 ,  *非晶質 ,  水素化 ,  不動態化 ,  防止 ,  電圧 ,  *エネルギー変換効率
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  ミクロ結晶 ,  HWCVD ,  劣化防止 ,  開回路電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (18件)：

• F. Finger, O. Astakhov, T. Bronger, R. Carius, T. Chen, A. Dasgupta, A. Gordijn, L. Houben, Y. Huang, S. Klein, M. Luysberg, and H. Wang, Thin Solid Films 517, 3507 (2009).
• S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 1415 (2007).
• Y. Hoshide, A. Tabata, A. Kitagawa, and A. Kondo, Thin Solid Films 517, 3524 (2009).
• T. Chen, F. Köhler, A. Heidt, Y. Huang, F. Finger, and R. Carius, Thin Solid Films 519, 4511 (2011).
• H. Matsumura, T. Hayakawa, T. Ohta, Y. Nakashima, M. Miyamoto, T. C. Thi, K. Koyama, and K. Ohdaira, J. Appl. Phys. 116, 114502 (2014).

タイトルに関連する用語 (8件)： アモルファス ,  シリコン酸化物 ,  不働態化 ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  ギャップ ,  微結晶 ,  炭化ケイ素 ,  エミッタ