文献

J-GLOBAL ID：201702255778334502   整理番号：17A0002359

ポリ-Si/SiO₂スタックの高アスペクト比により形成された表面反応層の役割

Role of surface-reaction-layer formed by high-aspect-ratio etching of poly-Si/SiO₂ stacks

著者 (5件)： IWASE T. (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUI M. (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  YOKOGAWA K. (Hitachi High-Technol. Corp., Yamaguchi, JPN) ,  ARASE T. (Hitachi High-Technol. Corp., Yamaguchi, JPN) ,  MORI M. (Hitachi High-Technol. Corp., Yamaguchi, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 37th  ページ： 47-48  発行年： 2015年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ポリシリコン ,  二酸化ケイ素 ,  アスペクト比 ,  *ウエハ【IC】 ,  *エッチング ,  X線光電子分光法 ,  表面反応

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiO2 ,  スタック ,  高アスペクト比 ,  反応層 ,  役割