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J-GLOBAL ID:201702255856894901   整理番号:17A0730998

YSZ膜の残留応力に及ぼす酸素分圧と蒸着速度の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influences of Oxygen Partial Pressure and Deposition Rate on Residual Stress of YSZ Thin Films
著者 (4件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 1195-1199  発行年: 2009年 
JST資料番号: C5022A  ISSN: 0258-7025  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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Y_2O_3でドープしたZRO_2混合物を原料として用い,異なる酸素分圧と堆積速度で,電子ビーム蒸発法により,酸化イットリウム(YSZ)薄膜を調製した。YSZ薄膜の残留応力を,ZYGO MARK IIIGPIデジタル波面干渉計を用いて研究し,残留応力に及ぼす酸素分圧と蒸着速度の影響を論じた。実験結果により,YSZ膜の残留応力は,異なる酸素分圧および堆積速度の下で,引張応力であった。応力値は,酸素分圧の増加とともに,最初に増加し,次に減少し,そして,堆積速度の増加とともに,単調に増加した。熱応力は薄膜の引張応力特性に決定的な役割を果たすが,応力の大きさは固有応力と付加応力によって影響される。試料のX線回折(XRD)試験により、薄膜の微細構造の変化に合わせて、応力の形成原因について説明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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