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J-GLOBAL ID:201702255916080550   整理番号:17A1251683

Cu(In,Ga)Se_2太陽電池における逆方向降伏の理解の進歩【Powered by NICT】

Advancing the Understanding of Reverse Breakdown in Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 1136-1142  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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逆破壊は各種バッファ層厚さを持つ多重Cu(In,Ga)Se_2太陽電池で調べた。,絶縁破壊をもたらすことを伝導機構の変化を示す,遷移電圧を抽出する方法はしばしば少ない意味のある破壊電圧の代替として記述した。CdSとZn_xSn_1-xO_yバッファを有する試料の遷移電圧は,暗所および照明下で行った破壊測定から抽出した。電場は暗所で測定したZTOベース試料に対して計算した,エネルギーバンド構造との関連を検討した。Fowler-NordheimトンネリングとPoole-Frenkel伝導は暗所で主な破壊機構の候補と考えられている。二つの伝導機構を組み合わせたモデルを提案し,実験データのあてはめを示し,議論した。欠陥の関与は,議論されていると,欠陥と破壊関連現象を提出した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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