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J-GLOBAL ID:201702255973172273   整理番号:17A1501905

Si SiO_2ナノ複合材料のバンドギャップチューニング:閉込め効果と表面/界面結合の相互作用【Powered by NICT】

Band gap tuning in Si-SiO2 nanocomposite: Interplay of confinement effect and surface/interface bonding
著者 (12件):
資料名:
巻: 425  ページ: 1089-1094  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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サイズ間の相関,Siナノ結晶の表面/界面でのSiとOの結合とSi SiO_2ナノ複合材料中のSiフォノンの周波数はRamanマッピングとX線光電子分光法を用いて確立した。これらの結果の確証吸収分光法は重い正孔価電子帯~2.8および2.95eVに光電子伝導帯の直接遷移の低下は電子閉じ込め(バンドギャップを増加させる)の効果とSi SiO_2ナノ複合材料中のナノ結晶の表面/界面(バンドギャップを低下させる)での酸化結合環境の間の相互作用の結果であることを示した。これらの研究は,ナノ複合材料の基本的な理解,Si SiO_2ベース素子作製の光学顕微鏡によるモニタリングを容易にすることができるへのより深い洞察を生み出してきた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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酸化物薄膜 
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