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J-GLOBAL ID：201702255974364000   整理番号：17A1445714

原子置換のトポ化学法により合成したSiC/Si(111)テンプレート上の(Al)GaNヘテロ構造の有機金属気相エピタクシー成長【Powered by NICT】

Metal organic vapor phase epitaxy growth of (Al)GaN heterostructures on SiC/Si(111) templates synthesized by topochemical method of atoms substitution

著者 (15件)： Rozhavskaya Mariia M. (Department of Physics and Nanotechnology, Aalborg University, Skjernvej 4A, Aalborg, 9220, Denmark) ,  Kukushkin Sergey A. (Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, Bolshoi pr. 61, St. Petersburg 199178, Russia) ,  Kukushkin Sergey A. (St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics (ITMO University), Kronverkskii pr. 49, St. Petersburg 197101, Russia) ,  Osipov Andrey V. (Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, Bolshoi pr. 61, St. Petersburg 199178, Russia) ,  Osipov Andrey V. (St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics (ITMO University), Kronverkskii pr. 49, St. Petersburg 197101, Russia) ,  Myasoedov Alexandr V. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya str. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Troshkov Sergey I. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya str. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Sorokin Lev M. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya str. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Brunkov Pavel N. (St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics (ITMO University), Kronverkskii pr. 49, St. Petersburg 197101, Russia) ,  Brunkov Pavel N. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya str. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Baklanov Alexandr V. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya str. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Telyatnik Rodion S. (Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, Bolshoi pr. 61, St. Petersburg 199178, Russia) ,  Juluri Raghavendra R. (Interdisciplinary Nanoscience Center (iNANO), Aarhus University, Gustav Wieds Vej 14, Aarhus C 8000, Denmark) ,  Pedersen Kjeld (Department of Physics and Nanotechnology, Aalborg University, Skjernvej 4A, Aalborg, 9220, Denmark) ,  Popok Vladimir N. (Department of Physics and Nanotechnology, Aalborg University, Skjernvej 4A, Aalborg, 9220, Denmark)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201700190  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上の(Al)GaNヘテロ構造の有機金属気相エピタクシーのための新しいアプローチを報告した。約90 100nm厚のSiC緩衝層がSi基板とCOガスとの反応を用いて合成した。高分解能透過型電子顕微鏡は,SiC/Si及びAlN/SiC層の間のエピタキシャル関係を持つ鋭い結晶界面を明らかにした。SiC形態とAlNシード層厚さの最適化はピット(V欠陥)のないGaN層の成長を容易にした。は,また,Siドーピングが最適化されていない表面形態を持つSiCテンプレート上に成長の場合にこれらの欠陥を除去することが分かった。したがって,薄いSiC緩衝層の合成をSiエピタクシーに及ぼすIII-Nの初期段階で界面の問題の解決策として提案されている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  アルミニウム ,  最適化 ,  バッファ層 ,  界面 ,  結晶粒界 ,  *ケイ素 ,  形態 ,  *MOCVD ,  窒化アルミニウム ,  *炭化ケイ素 ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： シード層 ,  HRTEM ,  シリコンウエハ ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： エピタクシー ,  トポ化学 ,  窒化ガリウム ,  シリカ炭化物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： 原子 ,  置換 ,  化学法 ,  SiC ,  Si ,  テンプレート ,  Al ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  有機金属気相エピタクシー ,  成長