文献

J-GLOBAL ID：201702255977678970   整理番号：17A1015974

Ni(100)及びCu(100)面へのチオフェン吸着に対する結合性に関するvan der Waalsインクルーシブ密度汎関数理論研究

A van der Waals Inclusive Density Functional Theory Study of the Nature of Bonding for Thiophene Adsorption on Ni(100) and Cu(100) Surfaces

著者 (4件)： MALONE Walter (Univ. Central Florida, Florida, USA) ,  YILDIRIM Handan (Univ. Central Florida, Florida, USA) ,  MATOS Jeronimo (Univ. Central Florida, Florida, USA) ,  KARA Abdelkader (Univ. Central Florida, Florida, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 11  ページ： 6090-6103  発行年： 2017年03月23日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni(100)及びCu(100)面へのチオフェン分子の吸着をvan der Waalsインクルーシブ密度汎関数理論(vdW-DF,vdF-DF2)計算により系統的に調べ,GGA-PBE汎関数を用いて得られた結果と比較した。半局所的GGA-PBE汎関数を用いて得た結果を参照結果として吸着構造/立体配置,結合長/表面からの距離,吸着チオフェン分子の傾斜度,吸着エネルギー及び界面電子構造に対するvdW相互作用の寄与を明らかにした。これらの計算結果を既報の計算結果ならびに実験結果と比較した。最も安定な吸着立体配置はこれらの表面に平行に配置した構造で表せ,既報の結果と一致した。Ni(100)面に吸着したチオフェン分子の場合,C-S結合が自発的に開裂することを示した。吸着チオフェンと結晶面の相互作用を,吸着に伴う結晶面の部分状態密度(d-DOS)の変化及びNi表面原子の磁気モーメントの変化及びNi表面からチオフェンへの電荷移動,に基づいて論じた。

シソーラス用語： 結晶面 ,  *ニッケル ,  *銅 ,  *吸着 ,  *密度汎関数法 ,  *van der Waals力 ,  立体配置 ,  状態密度 ,  磁気モーメント ,  電荷移動 ,  硫黄複素環化合物

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  金属の表面構造  (BK15020P)

物質索引 (1件)： チオフェン

タイトルに関連する用語 (8件)： Ni ,  Cu ,  チオフェン ,  吸着 ,  結合性 ,  VAN ,  密度汎関数理論 ,  研究