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J-GLOBAL ID：201702255990165758   整理番号：17A0360295

支持されたグラフェンの低温非調和フォノン特性【Powered by NICT】

Low-temperature anharmonic phonon properties of supported graphene

著者 (5件)： Kolesov E.A. (Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus) ,  Tivanov M.S. (Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus) ,  Korolik O.V. (Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus) ,  Saad A.M. (Al-Balqa Applied University, PO Box 4545, Amman 11953, Jordan) ,  Komissarov I.V. (Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, 6 P. Brovka, 220013 Minsk, Belarus)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 111  ページ： 587-591  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 支持されたグラフェンにおける非調和フォノン-フォノン過程の温度依存Raman研究を提示した。ガラスおよび銅基板上のグラフェンのための異なるGピーク位置の温度依存性が観察された。基板誘起歪を考慮して計算しグラフェン-基板全相互作用エネルギーを,温度が室温から両基質に対する絶対零に近い値まで減少すると,非調和フォノン-フォノン相互作用に起因するE_2gモードエネルギー変化を推定した。ガラス上のグラフェンでは,得られた値は懸濁グラフェンの理論値より約1.8倍大きかった。銅上のグラフェンでは,その値は約2.9倍大きかった。この結果は,グラフェンにおける非調和フォノン-フォノン過程に強い基板の影響を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銅 ,  *低温 ,  *フォノン ,  ガラス ,  基質 ,  温度依存性 ,  *グラフェン ,  懸濁液
準シソーラス用語： 理論値 ,  フォノン-フォノン相互作用 ,  相互作用エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 支持 ,  グラフェン ,  低温 ,  フォノン