文献
J-GLOBAL ID:201702255995289660   整理番号:17A0400420

太陽電池応用のためのディップコーティング法によるCZTS薄膜の作製【Powered by NICT】

Fabrication of CZTS thin films by dip coating technique for solar cell applications
著者 (4件):
資料名:
巻: 86  ページ: 295-301  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0954A  ISSN: 0025-5408  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
純相Cu_2ZnSnS_4薄膜を簡単な浸漬被覆法により作製した。前駆体膜は2メトキシエタノールとモノエタノールアミンに溶解した銅,亜鉛およびスズの安定解を用いてガラス基板上に被覆した。これら前駆体膜は400°Cから600°Cまでの範囲の種々の温度でN_2+H_2S雰囲気内で硫化した。XRD分析とRaman研究は,500°Cと550°Cでsulphurised膜の単CZTS相を明らかにしたが,550°Cでは膜硫化で観察された良好な結晶性構造精密化を使用したRietveld法。SEMとFESEM研究は良好な表面形態と550°Cで膜硫化の大きな結晶粒を示した。膜は光吸収係数>10~4cm~ 1と1.4eVの光学バンドギャップを示した。キャリア濃度,抵抗率および移動度は1.434×10~18cm~ 3と5.3cm~/Vsと0.828Ωcm,それぞれ伝導はp型であった。光起電力特性は薄膜太陽電池製造に適している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (5件):
分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の薄膜  ,  塩  ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  ,  酸化物薄膜 

前のページに戻る