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J-GLOBAL ID：201702256006898318   整理番号：17A1181563

2単層多孔質窒化ガリウムナノシート:第一原理研究【Powered by NICT】

Two single-layer porous gallium nitride nanosheets: A first-principles study

著者 (3件)： Zhang Hui (College of Sciences, Shenyang University, Shenyang 110044, China) ,  Meng Fan-Sun (School of Science, Liaoning University of Technology, Jinzhou 121001, China) ,  Wu Yan-Bin (College of Sciences, Shenyang University, Shenyang 110044, China)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 250  ページ： 18-22  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)は,光電素子のための新しいワイドギャップ半導体である。本論文では,二二D単層GaN結晶構造,H-GaNとGaNと呼ばれ,密度汎関数理論計算によって発見された。相安定性はフォノン分散によって確認された。H-GaNとGaN,の単一原子厚さの結晶は,多孔質構造のためにグラフェン様同素体(g GaN)よりも拡大した比表面積を有していた。さらに,1.85 1 1.89eVの間接バンドギャップを持ち,電子構造は,印加された歪により変調することができる。例えば,T GaNは間接遷移型半導体から圧縮歪による直接した。高比表面積と中程度のバンドギャップの組合せはこれらの2D結晶ポテンシャル高効率光触媒にしている。著者らの結果は,また,広い応用のための豊富な電子構造を持つ2D GaNナノ結晶に関する研究を刺激するであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 比表面積 ,  結晶構造 ,  *単一層 ,  *第一原理 ,  光触媒 ,  *多孔性 ,  電子構造 ,  相安定性 ,  *窒化ガリウム ,  バンドギャップ ,  グラフェン ,  ナノ結晶 ,  半導体
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  圧縮歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A窒化ガリウム ,  D.電子構造 ,  E.第一原理計算

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  多孔質 ,  窒化ガリウム ,  ナノシート ,  第一原理 ,  研究