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J-GLOBAL ID：201702256021197967   整理番号：17A0938701

RFダイオードスパッタリングにより作製した二重層WO_3n-nヘテロ接合上での増強されたphotopromoted電子移動【Powered by NICT】

Enhanced photopromoted electron transfer over a bilayer WO₃ n-n heterojunction prepared by RF diode sputtering

著者 (8件)： Chiarello Gian Luca (Dipartimento di Chimica, Universita degli Studi di Milano, via Golgi 19, 20133 Milano, Italy. [e-mail]) ,  Bernareggi Massimo ,  Pedroni Matteo ,  Magni Mirko ,  Pietralunga Silvia M. ,  Tagliaferri Alberto ,  Vassallo Espedito ,  Selli Elena
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 25  ページ： 12977-12989  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二層WO_3光電極は二つの異なる全ガス圧(3~Paと1.7Pa)でのタングステン箔,続いて600°Cでのか焼によって二連続WO_3コーティングを堆積することによって,反応性40%O_2/Ar雰囲気中で無線周波数(RF)プラズマスパッタリングにより得られた。各二圧力と逆圧で堆積した二重層試料で堆積した二単層試料も調製した。それらの光電極触媒(PEC)活性は,入射光子-電流効率(IPCE)測定と二コンパートメントPEC電池における水分解によるH_2とO_2の別々の両方により評価した。SEM分析は,光アノードは柱状基盤(Staffa島状形態,スコットランドの島の後)を克服するナノ構造多孔質二重層を持つことを明らかにした。Mott-Schottky分析は,3Paで蒸着した単層は1.7Paで堆積したそれよりもより正伝導フラットバンド電位0.1Vを持つことを示した。二重層の界面での等価n-nヘテロ接合は低位置の伝導帯材料に対するphotopromoted電子移動を促進することをビルトイン電場を生成するが,柱状最内層は導電性タングステン箔への効率的電子輸送のためのパーコレーション経路を紹介した。両現象は,界面電荷移動抵抗(R_ct)を減少させ,単分子層と逆二層被覆に比べてPEC性能の約30%増加と93%Faraday効率,WO_3光アノードでこれまで報告された最高であるまで導くに寄与している。メタノール添加で6.3mA cm~ 2まで増加させる顕著な4倍光電流密度は二分子層WO_3光アノード,通常観察される電流倍増効果よりもはるかに大きい上で達成された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電極 ,  ナノ構造 ,  *ヘテロ接合 ,  界面 ,  電流 ,  多孔性 ,  被覆 ,  伝導バンド ,  電流密度 ,  *電子移動 ,  電極触媒 ,  タングステン
準シソーラス用語： 光アノード ,  光電変換効率 ,  *二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  ダイオード ,  スパッタリング ,  作製 ,  二重層 ,  ヘテロ接合 ,  増強 ,  電子移動