50mm×50mm高性能HgCdTe液相エピタキシャル材料のバッチ生産技術【JST・京大機械翻訳】

Sun Quanzhi; Sun Ruiyun; Wei Yanfeng; Sun Shiwen; Zhou Changhe; Xu Chao; Yu Huixian; Yang Jianrong

文献

J-GLOBAL ID：201702256025115172 整理番号：17A1525627

50mm×50mm高性能HgCdTe液相エピタキシャル材料のバッチ生産技術【JST・京大機械翻訳】

Batch production technology of 50 mm × 50 mm HgCdTe LPE materials with high performance

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巻： 36 号： 1 ページ： 49-53,59 発行年： 2017年
JST資料番号： C0174C ISSN： 1001-9014 CODEN： HHXUEZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：中国語 (ZH)

50mm×50mm×3の高性能HgCdTeエピタキシャル材料を,テルルリッチ垂直液相エピタクシー技術によって調製した。エピタキシャル技術のサンプルフレームは三角柱構造を採用し、そして、背面の粘液を防ぐサンプルのクランプを設計した。大面積材料の均一性を保証するために、プロセス中に母液温度の均一性と成分の均一性の制御を強化し、50mm×50mmのエピタキシャル材料の成分の平均分散は0.0004に達し、厚さの平均分散は0.4μmに達した。回分生産技術において、単回の生長環境の均一性と生長輪の間の生長条件の一致性のコントロールを強化し、同じラウンドで成長した3枚の材料間の成分の偏差は0.0004以下で、厚さの偏差は0.1μm以下であった。異なる成長回分の間の材料の成分の間の変動は±0.002で,厚さの間の変動は±2μmであった。プロセスにおいて,亜鉛,亜鉛欠陥,および欠陥密度は制御され,大面積のエピタキシャル材料の欠陥を制御し,結晶の双晶回折ピーク幅(FWHM)は30秒以下であり,エピタキシャル材料の転位密度は1×105cm-2以下であった。表面欠陥密度は5cm-2以下であった。エピタキシャル材料を熱処理した後,水銀空格子点のP型Hg0.78Cd0.22Teエピタキシャル材料の77Kでのキャリア濃度は8~20×1015cm-3に制御され,正孔移動度は600cm2/Vsより大きかった。材料の全体的な性能とバッチ生産能力は,大規模なHgCdTeの赤外焦平面検出器の開発要求を満たすことができる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 森林植物学 , 八員環以上の複素環化合物 , 屈折及び反射の測定と装置 , 無機化合物一般及び元素

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