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J-GLOBAL ID：201702256060052423   整理番号：17A0705531

2次元Si_xC_y単分子層の新しい結合パターンとオプトエレクトロニクス特性【Powered by NICT】

Novel bonding patterns and optoelectronic properties of the two-dimensional Si_xC_y monolayers

著者 (4件)： Fan Dong (College of Materials Science and Engineering, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Lu Shaohua ,  Guo Yundong ,  Hu Xiaojun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 14  ページ： 3561-3567  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい光学的および電子的性質を持つ新しい二次元(2D)材料の探索は,材料開発にとって常に好ましいものである。CリッチからSiリッチへの異なる化学量論を有する2D SiC化合物の包括的な理論的予測を報告した。以前から知られている六方晶SiCシートに加えて,著者たちは,異なる結合特性のこれまで知られていない構造モチーフの二種類を同定した。SiCとt Si_2Cシートを含む2D SiC単分子層の第一のタイプは正方晶格子で記述できた。それらの中で,t SiC単分子層シートはほぼ同一平面に四つの隣接けい素原子と結合する各炭素原子によって特徴付けられる,準平面四配位矩形部分を占めている。より興味深いことに,著者らの計算は,この構造は株依存性絶縁体半金属転移を示し,歪依存光電子センサの有望な応用を示唆した。2D SiCシートの第二の型はアセチレン結合( C≡C )silagraphyneにより特徴がある。Silagraphyneは高い細孔径とPoisson比の両方を示した。これらの特性は,分離膜と触媒作用への応用のための潜在的に重要な材料である。さらに,提案した構造の一つ,γsilagraphyne,は0.89eVのバンドギャップをもつ直接バンドギャップ半導体,可視光領域に強い吸収ピークを持つ,超薄トランジスタ,光センサデバイスと太陽電池デバイスにおける有望な応用を与えることである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁体 ,  材料 ,  Poisson比 ,  *単分子層 ,  半導体 ,  半金属 ,  六方晶系 ,  *二次元 ,  化学量論 ,  太陽電池 ,  正方晶系 ,  *オプトエレクトロニクス ,  炭化ケイ素 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 2次元 ,  単分子層 ,  オプトエレクトロニクス