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J-GLOBAL ID：201702256124584148   整理番号：17A1457116

加硫蒸着金属前駆体により調製したSb_2S_3薄膜【Powered by NICT】

Sb₂S₃ thin films prepared by vulcanizing evaporated metallic precursors

著者 (10件)： Zhang Leng (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Zhuang Daming (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Zhao Ming (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Gong Qianming (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Guo Li (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Ouyang Liangqi (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Sun Rujun (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Wei Yaowei (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Lyu Xunyan (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China) ,  Peng Xiao (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, 100084 Beijing, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 208  ページ： 58-61  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,硫化アンチモン(Sb_2S_3)薄膜を窒素/硫黄(N_2/H_2S)環境中の金属Sb膜とそれに続くアニーリングを蒸発させることによりMo被膜ガラス基板上に成長させた。相,薄膜の形態と組成と対応するデバイスに及ぼすアニーリング温度の影響を調べた。金属Sb層は320°Cのアニーリング温度で完全にsulfuredできないことが分かったが,450°Cを超えるアニーリング温度で生じた形成されたSb_2S_3損失量400°Cでアニールした吸収体を持つ素子は膜は改善された形態と相構造を有していたとして最良の性能を示した。Sb_2S_3薄膜太陽電池の大規模工業的応用のためのSb_2S_3薄膜と可能性を作製するための新しい方法を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *前駆体 ,  焼なまし ,  形態 ,  *薄膜 ,  モリブデン ,  蒸発 ,  皮膜 ,  *蒸着 ,  吸収体 ,  *アンチモン ,  太陽電池
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  アニーリング温度 ,  ガラス基板 ,  硫化アンチモン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Sb_2S_3 ,  熱蒸発 ,  アニーリング温度 ,  太陽電池

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 加硫 ,  蒸着 ,  前駆体 ,  調製 ,  薄膜