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J-GLOBAL ID：201702256124652154   整理番号：17A1595264

サファイア/SiO2/AlN/GaN多層構造の表面熱応力シミュレーション解析【JST・京大機械翻訳】

Thermal Stress Analysis of Surface of Sapphire/SiO2/AlN/GaN Epilayers

著者 (5件)： Chen Jing (西安工業大学光電工程学院,陜西西安,710021) ,  Cheng Hongchang (微光夜視技術重点実験室,陜西西安,710065) ,  Wu Lingling (西安工業大学光電工程学院,陜西西安,710021) ,  Feng Liu (微光夜視技術重点実験室,陜西西安,710065) ,  Miao Zhuang (微光夜視技術重点実験室,陜西西安,710065)
資料名： Hongwai Jishu  (Hongwai Jishu)
巻： 39  号： 5  ページ： 463-468  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2520A  ISSN： 1001-8891  CODEN： HOJIEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： サファイア/SiO2/AlN/GaN光電陰極アセンブリの熱応力分布と影響因子を研究するために,直径40mmのGaNエピタキシャルシートを研究対象として,有限要素解析法を用いて,表面熱応力分布を理論的に計算し,シミュレーションした。シミュレーションモデルの合理性を検証した。半径方向と厚さ方向の応力分布を解析した。1200°Cの成長温度において,熱応力の分布は,半径方向領域において比較的均一であり,熱応力の変化範囲は,±1.38%であった。成長温度が400°Cから1200°Cの範囲では,エピタキシャル層の表面応力と成長温度の間には,ほぼ正の相関があった。表面の熱応力に及ぼすエピタキシャル成長温度,サファイア基板とSiO2,AlNの遷移層の厚さの影響を解析した。研究結果は、この種類のエピタキシャル成長技術の研究と低応力エピタキシャルのスクリーニング基準の制定に参考を提供することができる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  シミュレーションモデル ,  *多層構造 ,  *サファイア ,  *熱応力 ,  表面応力 ,  *窒化アルミニウム ,  スクリーニング ,  半径方向 ,  *シミュレーション ,  エピタクシー ,  応力分布
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  成長温度 ,  有限要素解析 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： film technology ,  thermal sreess ,  GaN ,  finite element analysis ,  simulation

分類 (5件)： 岩盤の力学的性質  (HE02000H) ,  熱処理技術  (WC03020T) ,  平板  (HD03060Z) ,  核融合装置  (BJ02083Z) ,  金属材料試験一般  (HB02010J)

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア ,  SiO2 ,  AlN ,  GaN ,  多層構造 ,  熱応力 ,  シミュレーション解析