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J-GLOBAL ID:201702256185031764   整理番号:17A1400267

不揮発性メモリ上でのHPC I/Oの性能評価とモデル化【Powered by NICT】

Performance Evaluation and Modeling of HPC I/O on Non-Volatile Memory
著者 (5件):
資料名:
巻: 2017  号: NAS  ページ: 1-10  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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HPCアプリケーションI/O性能と貯蔵能力に高い要求を提起している。新たな不揮発性メモリ(NVM)技術は,低遅延,高帯域幅,およびHPCアプリケーションのための持続性を提供する。しかし,既存のI/Oスタックはディスクベース貯蔵の仮定に基づいて設計し,最適化した。NVMを有効に利用するために,適切にそれにNVMを統合するための既存高性能計算(HPC)I/Oサブシステムを再検討しなければならない。高速貯蔵としてNVMを用いて,貯蔵の劣った性能(例えば,ハードドライブ)に関する以前の仮定はもはや妥当ではない。遅い貯蔵による性能問題は緩和されるかもしれない貯蔵とCPU間の性能ギャップを狭めるために既存の機構は不要であると大きなオーバーヘッドを生じる可能性がある。HPCソフトウェアスタック徹底的な性能研究を必要とするにNVMを導入することの影響を完全に理解する。本論文では,ブロックデバイスとしてNVMを持つI/O集中HPCアプリケーションの性能を解析し,モデル化した。三観点から性能を研究(1)伝統的なページキャッシュの性能に及ぼすNVMの影響(2)性能は,MPI個々のI/OとPOSIX I/Oの比較および(3)集団I/Oの性能に及ぼすNVMの影響。ページキャッシュの減少効果,MPI個々のI/OとPOSIX I/Oの間の小さな性能差,不要データシャフリングによるNVMの集団I/Oの性能欠点を明らかにした。MPI集団I/Oの性能をモデル化し,データシャフリング貯蔵性能,I/Oアクセスパターンの間の複雑な相互作用を研究した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
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