文献
J-GLOBAL ID:201702256205844436   整理番号:17A1476740

ドメイン操作された斜方晶系強誘電体単結晶のエネルギー論

Energetics of Domain Engineered Rhombohedral Ferroelectric Single Crystals
著者 (2件):
資料名:
巻: 10165  ページ: 101650B.1-101650B.10  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)02-xPbTi03(PMN-PT)および(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)03-xPbTiO3(PZN-PT)のような,強誘電体リラクサー単結晶は,巨大な圧電定数および高い電気機械結合係数に起因する電気機械トランスデューサ,センサおよびアクチュエータの性能を改善するために,セラミックスPb(Zr1-xTix)03(PZT)の代わりに広く用いられている。本研究では,菱面体晶相におけるPIN-PMN-PTの誘電特性,圧電特性および強誘電特性を記述するために,10次のランダウ-デボンシャーエネルギー関数を提案した。クリスタルバリアントに基づくモデルを組み込み,エネルギー障壁を考慮して,ドメイン操作された4Rおよび2R結晶における均一なスイッチングに対する外部電場の影響を調べた。提案されたエネルギー関数に基づいて位相場モデルが開発された。シミュレーション結果は,分域壁が外部電場の下で掃引することを示し,2つのバリアントの間のエネルギー障壁を克服する必要がある均質なスイッチングと比較して,異種のスイッチングにおける抗電界が減少する結果となった。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  圧電気,焦電気,エレクトレット 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る