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J-GLOBAL ID：201702256267926393   整理番号：17A0449275

Cd_4Si_2O_7F_2の調製,結晶構造,振動および電子特性【Powered by NICT】

Preparation, crystal structure, vibrational and electronic properties of Cd₄Si₂O₇F₂

著者 (6件)： Achary S.N. (Chemistry Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Tyagi A.K. (Chemistry Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Gupta M.K. (Solid State Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Mittal R. (Solid State Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Bhattacharya K. (Chemistry Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India) ,  Rao R. (Solid State Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 702  ページ： 573-584  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cd_4Si_2O_7F_2の合成と結晶,その結晶構造,粉末XRDからの振動および電子特性,Raman散乱,FTIR研究とab initio密度汎関数理論(DFT)計算の詳細を報告した。Cd_4Si_2O_7F_2は単位格子パラメータを持つ単斜晶格子(空間群:P2_1/c)で結晶化し,7.3211(1),10.2708(2),10.9123(2)Å,107.172(2),775.02(3)Å~3であった。高度に歪んだ(CdO,F)6とSi_2O_7ユニットは結晶構造の構築単位を形成する。構造と振動特性をRamanおよびIR分光学的研究を用いて調べ,DFT計算により支持された。電子構造計算は,DRUV測定で観察されたものと合理的に一致する,Cd_4Si_2O_7F_2における間接バンドギャップ(~1.8 eV)を明らかにした。比較のためCa_4Si_2O_7F_2の構造と電子的性質のDFT計算も行った。Ca_4Si_2O_7F_2は間接バンドギャップ半導体であることが分かったが,バンドギャップはかなり高かった(~4.6 eV)。Cd_4Si_2O_7F_2中のCd原子のより拡散した5s軌道は伝導バンド最小値を低下させ,従ってより低いバンドギャップを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 格子定数 ,  伝導バンド ,  X線回折 ,  単斜晶系 ,  Raman散乱 ,  バンドギャップ ,  空間群 ,  *結晶構造 ,  密度汎関数法 ,  *カドミウム
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  電子構造計算 ,  分光学的研究 ,  振動特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： けい酸塩 ,  けい酸カドミウム ,  結晶構造 ,  結晶化学 ,  電子構造 ,  光学的性質

分類 (3件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  金属の結晶構造  (BK06000V) ,  磁気的性質  (WB02020J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 調製 ,  結晶構造 ,  電子