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J-GLOBAL ID：201702256291624824   整理番号：17A1047539

高効率緑色量子ドット発光ダイオードのためのWO_n WX_2(n=2.7, 2.9; X=S, Se)ヘテロ構造の合成【Powered by NICT】

Synthesis of WO_n-WX₂ (n=2.7, 2.9; X=S, Se) Heterostructures for Highly Efficient Green Quantum Dot Light-Emitting Diodes

著者 (20件)： Han Shikui (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Yang Xuyong (Luminous! Center of Excellence for Semiconductor Lighting and Displays, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhu Yihan (Advanced Membranes and Porous Materials Center, Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Tan Chaoliang (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhang Xiao (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Chen Junze (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Huang Ying (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Chen Bo (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Luo Zhimin (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Ma Qinglang (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Sindoro Melinda (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhang Hao (Institute of Advanced Materials (IAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), 5 Xinmofan Road, Nanjing, 210009, China) ,  Qi Xiaoying (Singapore Institute of Manufacturing Technology, 71 Nanyang Drive, Singapore, 638075, Singapore) ,  Li Hai (Institute of Advanced Materials (IAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), 5 Xinmofan Road, Nanjing, 210009, China) ,  Huang Xiao (Institute of Advanced Materials (IAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), 5 Xinmofan Road, Nanjing, 210009, China) ,  Huang Wei (Institute of Advanced Materials (IAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), 5 Xinmofan Road, Nanjing, 210009, China) ,  Sun Xiao Wei (Luminous! Center of Excellence for Semiconductor Lighting and Displays, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Sun Xiao Wei (Department of Electrical and Electronic Engineering, College of Engineering, Southern, University of Science and Technology, 1088 Xue-Yuan Road, Nanshan, Shenzhen, Guangdong, 518055, China) ,  Han Yu (Advanced Membranes and Porous Materials Center, Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Zhang Hua (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 56  号： 35  ページ： 10486-10490  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)ヘテロ構造の調製は,エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスへの応用のための基本的にだけでなく,技術的にないことが重要である。WO_nナノ材料の硫化またはセレン化によるWO_n WX_2(n=2.7, 2.9; X=S, Se)ヘテロ構造の合成のための容易なコロイド法を報告した。WO_n WX_2ヘテロ構造単一層または2,3層WX_2ナノシート(NSs)とともに成長させたWO_2 9ナノ粒子(NP)またはWO_2 7ナノワイヤ(NW)から構成されている。概念実証応用として,WO_n WX_2ヘテロ構造は緑色量子ドット発光ダイオード(QLEDs)のアノード界面バッファ層として使用した。WO_2 9NP WSe_2NSヘテロ構造を用いて調製したQLEDは外部量子効率(EQE)8.53%を達成した。著者らの知る限り,これは正孔注入層として無機材料を用いて報告されたグリーンQLEDsにおける最高の効率である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *カルコゲン化物 ,  *酸化タングステン ,  *量子効率 ,  *ナノ粒子 ,  結晶成長 ,  *量子ドット ,  ポリビニルカルバゾール ,  *キャリア注入 ,  エレクトロルミネセンス
準シソーラス用語： CdSe量子ドット ,  コアシェル粒子 ,  コロイド溶液 ,  二次元構造 ,  *ヘテロ構造 ,  正孔注入 ,  電流密度-電圧特性

著者キーワード (5件)： 発光ダイオード ,  量子ドット ,  セレン ,  硫黄 ,  タングステン

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高効率 ,  緑色 ,  量子ドット ,  発光ダイオード ,  Se ,  ヘテロ構造