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J-GLOBAL ID：201702256389709307   整理番号：17A0852239

バンドギャップを操作したシリコン-ゲルマニウムバイポーラI-MOSを用いた食品キャパシタレスDRAM【Powered by NICT】

1-T Capacitorless DRAM Using Bandgap-Engineered Silicon-Germanium Bipolar I-MOS

著者 (2件)： Lahgere Avinash (Department of Electrical Engineering, IIT Delhi, New Delhi, India) ,  Kumar Mamidala Jagadesh (Department of Electrical Engineering, IIT Delhi, New Delhi, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 4  ページ： 1583-1590  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,バンドギャップ調節したシリコン-ゲルマニウムバイポーライオン化金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(I MOS)を用いてトランジスタ(1 T)SOIを用いたダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を数値シミュレーションで検討した。1-T SOIを用いたDRAMの実現のために提案されたSi_0 6Ge_0 4バイポーラI-MOSの応用を実証した。提案したデバイスは,有意に低いドレイン電圧(V_LD=0.45V V_LU=1.15V)でのヒステリシスを達成し,反転モードデバイス(V_LD=8V V_LU=11V)と比較してできる。さらに,提案した1-TキャパシタレスDRAMは,反転モードに基づく1-TキャパシタレスDRAMに比べて700mV~秩序と~5桁のセンシングマージン(ΔI)の広いヒステリシスウィンドウ(ΔV)を示した。さらに,提案した1-T SOIを用いたDRAMは25°Cと85°Cの~750msecと~320msecの保持時間を示した。提案した1-TキャパシタレスDRAMも非破壊読み出しと極端な長期耐久性を示した。それ故,本論文で示した結果は,深いナノメータ技術における将来のDRAM設計のための機会を提供することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  イオン化 ,  トランジスタ ,  *バンドギャップ ,  保持時間 ,  酸化物 ,  シミュレーション ,  *食品 ,  半導体 ,  *DRAM ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： ナノメータ ,  長期耐久性 ,  ドレイン電圧 ,  数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： バンドギャップ ,  シリコン ,  ゲルマニウム ,  バイポーラ ,  MOS ,  食品 ,  DRAM