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J-GLOBAL ID：201702256406873471   整理番号：17A0303303

遷移金属二カルコゲン化物基板上のシリセンナノリボン:電子構造とバリスティック輸送への影響【Powered by NICT】

Silicene nanoribbons on transition metal dichalcogenide substrates: Effects on electronic structure and ballistic transport

著者 (6件)： Van Den Broek Bas (Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven) ,  Houssa Michel (Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven) ,  Lu Augustin (Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven) ,  Pourtois Geoffrey (imec, 75 Kapeldreef) ,  Afanas’ev Valery (Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven) ,  Stesmans Andre (Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 11  ページ： 3394-3406  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる二次元材料の多重単分子層を積層のアイデアは,世界的な追求となっている。本研究では,幅Wとvan derのシリセンアームチェア型ナノリボンは異なる遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)二重層基板MoX_2とWX_2,X=S,Se,Teを考慮にWaals接着した。これらの系の軌道分解電子構造とバリスティック輸送特性はvan der Waals補正密度汎関数理論と非平衡Green関数を用いてシミュレーションした。は,下層の基板との格子不整合は,電子構造を決定し,シリセン座屈歪みと最終的に二端子システムの接触抵抗と相関することを見出した。最小格子不整合,MoTe_2基板で得られた,自立のものに近いシリセンリボン特性をもたらした。誘電体層として作用するTMD二分子層では,電子構造は間接半導体層に転移し,続いて金属電子分散層への直接からの波長可変であり,中程度の印加された垂直電場であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二分子層 ,  密度汎関数法 ,  *バリスティック輸送 ,  二次元 ,  接触抵抗 ,  *カルコゲン化物 ,  *電子構造 ,  電場 ,  格子不整合 ,  単分子層
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *シリセン ,  非平衡Green関数 ,  二重層 ,  *ナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリセン ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  van der Waalsヘテロ構造 ,  電子構造 ,  バリスティック輸送

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 遷移金属二カルコゲン化物 ,  電子構造 ,  バリスティック輸送