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J-GLOBAL ID：201702256418476075   整理番号：17A0968971

水素原子蒸着によるBiTeCl表面でのビスマス二層膜の形成【Powered by NICT】

Formation of the bismuth-bilayer film at BiTeCl surface by atomic hydrogen deposition

著者 (9件)： Shvets I.A. (Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia) ,  Shvets I.A. (Saint Petersburg State University, Saint Petersburg 198504, Russia) ,  Eremeev S.V. (Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia) ,  Eremeev S.V. (Saint Petersburg State University, Saint Petersburg 198504, Russia) ,  Eremeev S.V. (Institute of Strength Physics and Materials Science, 634055 Tomsk, Russia) ,  Chulkov E.V. (Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia) ,  Chulkov E.V. (Saint Petersburg State University, Saint Petersburg 198504, Russia) ,  Chulkov E.V. (Donostia International Physics Center (DIPC), 20018 San Sebastian/Donostia, Basque Country, Spain) ,  Chulkov E.V. (Departamento de Fisica de Materiales UPV/EHU, Centro de Fisica de Materiales CFM - MPC and Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, 20080 San Sebastian/Donostia, Basque Country, Spain)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 661  ページ： 10-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算に基づいて,巨大ラシュバ分裂半導体BiTeClのCl 及びTe終端上への原子状水素吸着を調べ,それはHClとH_2Te分子の脱離によってハロゲンおよびカルコゲン最上層原子の除去をもたらすことを示した。Te(Cl)層の水素誘起除去と次のBiとより深いTe(Cl)層の交換を伴うこの機構は,BiTeClをカバーするBi_2層が形成された。形成されたBi_2@BiTeCl_[Cl term]とBi_2@BiTeCl_[Te term]界面の電子構造はBi_2派生スピン分裂バンドとBiTeCl界面状態の間の強い混成を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 塩酸 ,  密度汎関数法 ,  *水素 ,  *テルル ,  *蒸着 ,  脱着 ,  吸着 ,  表面準位 ,  半導体 ,  界面 ,  *ビスマス ,  *塩素
準シソーラス用語： *二重層 ,  *水素原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ビスマス二重層 ,  巨大Rashbaは分割 ,  水素エッチング ,  密度汎関数理論

分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素原子 ,  蒸着 ,  ビスマス ,  二層膜