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J-GLOBAL ID：201702256431084615   整理番号：17A1249156

GeTe Sb_2Te_3界面相変化メモリの抵抗スイッチング機構と埋め込まれた二次元状態のトポロジー的性質【Powered by NICT】

Resistive switching mechanism of GeTe-Sb₂Te₃ interfacial phase change memory and topological properties of embedded two-dimensional states

著者 (6件)： Nakamura Hisao (CD-FMat, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba Central 2, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan. [e-mail]) ,  Rungger Ivan ,  Sanvito Stefano ,  Inoue Nobuki ,  Tominaga Junji ,  Asai Yoshihiro
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 27  ページ： 9386-9395  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： W電極を用いたGeTe Sb_2Te_3超格子の界面相変化メモリの理論的研究は,高抵抗状態と低抵抗状態とスイッチング機構を同定した。SET/RESETモードは二段階動力学的プロセス,Te層に対してGe層の垂直フリップに対応し,続いて熱緩和によって誘起される横方向運動で構成されている場合にのみTe Ge Te Ge配列におけるGeTe層ブロックの強磁性構造を低抵抗状態にあることができる。「バイアス極性に依存する」SET/RESET操作にGeTe/Sb_2Te_3界面におけるスピン-軌道結合の重要性を示し,抵抗スイッチング層内GeTe/Sb_2Te_3界面に閉じ込められた二次元状態の解析を提示した。著者らの結果は,これらの二次元化合物の自明なギャップ状態へのトポロジー的に非自明なから転移の相図を提案することができた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スイッチング ,  *界面 ,  強磁性 ,  *二次元 ,  状態図 ,  *テルル ,  バイアス ,  *位相幾何学 ,  *ゲルマニウム ,  極性 ,  超格子
準シソーラス用語： 熱緩和 ,  *抵抗スイッチング ,  *相変化メモリ ,  *GeTe , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： GeTe ,  界面 ,  相変化メモリ ,  抵抗スイッチング ,  トポロジー ,  性質