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J-GLOBAL ID：201702256440184348   整理番号：17A1309650

コミュニケーション: タングステン表面からの水素のホットアトム引抜き反応動力学 表面構造の役割

Communication: Hot-atom abstraction dynamics of hydrogen from tungsten surfaces: The role of surface structure

著者 (6件)： Galparsoro Oihana (CNRS, ISM, UMR5255, F-33400 Talence, France) ,  Busnengo Heriberto Fabio (Instituto de Fisica Rosario (IFIR) CONICET-UNR, Esmeralda y Ocampo, 2000 Rosario, Argentina) ,  Juaristi Joseba Inaki (Donostia International Physics Center (DIPC), Paseo Manuel de Lardizabal 4, 20018 Donostia-San Sebastian, Spain) ,  Crespos Cedric (CNRS, ISM, UMR5255, F-33400 Talence, France) ,  Alducin Maite (Donostia International Physics Center (DIPC), Paseo Manuel de Lardizabal 4, 20018 Donostia-San Sebastian, Spain) ,  Larregaray Pascal (CNRS, ISM, UMR5255, F-33400 Talence, France)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 147  号： 12  ページ： 121103-121103-5  発行年： 2017年09月28日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 断熱および非断熱準古典的分子動力学シミュレーションを実行し,被覆W(100)およびW(110)からのH散乱によるH吸着質のホットアトム引抜きに対する結晶面の役割を調べた。両方の場合に関し,超熱拡散は電子-正孔対励起へ散逸したエネルギーによって強く影響される。その結果,低い入射エネルギーと低被覆率,すなわち,超熱Hの平均自由行程が典型的に大きいときに,吸着を有利にするようにホットアトム引抜きは高度に減少した。定性的には,そのような初期条件にかかわらず,この減少は両表面上でかなり類似し,その引抜過程はW(110)上よりもW(100)上での表面下浸透を含んでいる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *タングステン ,  *ホットアトム化学 ,  結晶面 ,  初期条件 ,  *水素 ,  電子正孔対 ,  熱拡散 ,  反応速度論 ,  被覆 ,  *表面構造 ,  平均自由行程 ,  被覆率 ,  *引抜反応 ,  *計算機シミュレーション
準シソーラス用語： 吸着質 ,  入射エネルギー ,  *ホットアトム ,  *分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (8件)： コミュニケーション ,  タングステン ,  水素 ,  ホットアトム ,  引抜き反応 ,  動力学 ,  表面構造 ,  役割