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J-GLOBAL ID:201702256489767207   整理番号:17A1650227

THz-TDSシステムのための半導体表面エミッタ【Powered by NICT】

Semiconductor surface emitters for THz-TDS systems
著者 (5件):
資料名:
巻: 2017  号: IRMMW-THz  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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ナローギャップ半導体からの表面THz放射の微視的モデルを提案した実験研究はTHz-TDSシステムへの応用のためのそのようなエミッタの可能性を明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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その他の無機化合物の電気伝導  ,  半導体のルミネセンス  ,  Auger電子放出,二次電子放出  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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