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J-GLOBAL ID：201702256505057228   整理番号：17A1435711

単一分子フェノチアジン電気接合におけるラジカル促進電荷輸送【Powered by NICT】

Radical-Enhanced Charge Transport in Single-Molecule Phenothiazine Electrical Junctions

著者 (15件)： Liu Junyang (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, Department of Chemical and Biochemical Engineering, College of Chemistry and Chemical Engineering, Graphene Industry and Engineering Research Institute, iChEM, Xiamen University, Xiamen, 361005, China) ,  Zhao Xiaotao (Department of Chemistry, Durham University, Durham, DH1 3LE, UK) ,  Al-Galiby Qusiy (Department of Physics, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YB, UK) ,  Al-Galiby Qusiy (Department of Physics, College of Education, University of Al-Qadisiyah, Al-Qadisiyah, Diwaniya city, 58002, Iraq) ,  Huang Xiaoyan (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, Department of Chemical and Biochemical Engineering, College of Chemistry and Chemical Engineering, Graphene Industry and Engineering Research Institute, iChEM, Xiamen University, Xiamen, 361005, China) ,  Zheng Jueting (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, Department of Chemical and Biochemical Engineering, College of Chemistry and Chemical Engineering, Graphene Industry and Engineering Research Institute, iChEM, Xiamen University, Xiamen, 361005, China) ,  Li Ruihao (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, Department of Chemical and Biochemical Engineering, College of Chemistry and Chemical Engineering, Graphene Industry and Engineering Research Institute, iChEM, Xiamen University, Xiamen, 361005, China) ,  Huang Cancan (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Bern, Freiestrasse 3, 3012, Bern, Switzerland) ,  Yang Yang (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, Department of Chemical and Biochemical Engineering, College of Chemistry and Chemical Engineering, Graphene Industry and Engineering Research Institute, iChEM, Xiamen University, Xiamen, 361005, China) ,  Shi Jia (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, Department of Chemical and Biochemical Engineering, College of Chemistry and Chemical Engineering, Graphene Industry and Engineering Research Institute, iChEM, Xiamen University, Xiamen, 361005, China) ,  Manrique David Zsolt (Department of Physics, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YB, UK) ,  Manrique David Zsolt (Department of Electronic & Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London, WC1E 7JE, UK) ,  Lambert Colin J. (Department of Physics, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YB, UK) ,  Bryce Martin R. (Department of Chemistry, Durham University, Durham, DH1 3LE, UK) ,  Hong Wenjing (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, Department of Chemical and Biochemical Engineering, College of Chemistry and Chemical Engineering, Graphene Industry and Engineering Research Institute, iChEM, Xiamen University, Xiamen, 361005, China)
資料名： Angewandte Chemie  (Angewandte Chemie)
巻： 129  号： 42  ページ： 13241-13245  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0396A  ISSN： 0044-8249  CODEN： ANCEAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は機械的に制御可能な破断接合技術を用いた酸性酸化剤誘発されたフェノチアジン(PTZ )に基づくラジカル接合を通る単一分子コンダクタンスを調べた。ラジカル状態の電気伝導率は中性状態に比べて200倍まで増強され,少なくとも二か月間と室温で高接合形成確率の高い安定性であった。理論研究は,ラジカルが生成するとき,コンダクタンス増加はHOMO-LUMOギャップの有意な減少,HOMO軌道に近い増強透過に起因することを明らかにした。安定PTZラジカル分子の形成により誘起された大コンダクタンス増強により,単分子エレクトロニクスとスピントロニクスにおける有望な応用をもたらすであろう。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ラジカル ,  スピントロニクス ,  酸性 ,  コンダクタンス ,  HOMO ,  破断 ,  電気伝導率 ,  窒素複素環化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物
準シソーラス用語： 分子エレクトロニクス ,  HOMO-LUMOギャップ ,  中性 ,  *電荷輸送 ,  *単一分子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Einzelmolekuelkontakte ,  Elektrische Leitfaehigkeit ,  Ladungstransport ,  Molekulare Elektronik ,  Radikalkationen

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

物質索引 (1件)： フェノチアジン

タイトルに関連する用語 (5件)： 単一分子 ,  フェノチアジン ,  ラジカル ,  促進 ,  電荷輸送