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J-GLOBAL ID：201702256524146757   整理番号：17A0733675

AGGA_(1-X)IN_XSE_2結晶の成長習性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Study on the Growth Habits of AgGa_(1-x)In_xSe_2 Crystals

著者 (8件)： ZHAO Guo-dong (Department of Materials Science, Sichuan University) ,  ZHU Shi-fu (Department of Materials Science, Sichuan University) ,  ZHAO Bei-jun (Department of Materials Science, Sichuan University) ,  WAN Shu-quan (Department of Materials Science, Sichuan University) ,  CHEN Bao-jun (Department of Materials Science, Sichuan University) ,  HE Zhi-yu (Department of Materials Science, Sichuan University) ,  WANG Ying (Department of Materials Science, Sichuan University) ,  LONG Yong (Department of Materials Science, Sichuan University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 38  号： 2  ページ： 301-304  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 異なるインジウム含有量(X)を有するAGGA_(1-X)IN_XSE_2の結晶化温度と結晶化温度をDTAにより測定した。結果は以下を示す。X値の増加とともに,過冷却度は増加した。改良_(1-X)IN_XSE_2結晶の成長特性と成長温度場を,改良垂直分布法と実時間補温法を用いて研究し,結晶形態を観測した。発見;結晶成長過程の進行により,結晶化温度は低下し,固液界面は移動した。成長した結晶の表面には、外形の規則、形状が同じ半球状の穴が存在し、配向が一致する階段状の孔があり、小孔底部は{112}面である。結果は,サイズがΦ20MM×60MMの完全な_(1-X)IN_XSE_2単結晶を成長させるために,大サイズで高品質のAGGA_(1-X)IN_XSE_2単結晶を成長させることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  晶出温度 ,  垂直分布 ,  *結晶 ,  固液界面 ,  細孔 ,  結晶形態 ,  インジウム ,  単結晶 ,  高品質 ,  成長温度 ,  成長特性 ,  サブクール度
準シソーラス用語： 実時間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AgGa_(1-x)In_xSe_2 ,  crystal growth ,  Bridgman method ,  growth habits ,  real-time temperature compensation technique

分類 (1件)： 固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶 ,  研究