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J-GLOBAL ID：201702256545010407   整理番号：17A1420773

GaおよびPをドープしたAlNナノシートの電子的および光学的性質に及ぼす置換の影響【Powered by NICT】

Effects of substitution on electronic and optic properties of Ga and P doped AlN nanosheets

著者 (3件)： Yuecel Ismail (Sueleyman Demirel University, Graduate School of Natural and Applied Science, 32260 Isparta, Turkey) ,  Cakmak Seyfettin (Sueleyman Demirel University, Faculty of Arts and Sciences, 32260 Isparta, Turkey) ,  Artuc Ekrem (Sueleyman Demirel University, Faculty of Arts and Sciences, 32260 Isparta, Turkey)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 144  ページ： 498-510  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,純粋な,Ga,PおよびGa/PドープAlNナノシートの構造的,電子的および光学的性質を密度汎関数法研究(DFT)内の全電子完全ポテンシャル線形化増強平面波(FP LAPW)法を用いて調べた。交換-相関ポテンシャルは一般化勾配近似(GGA)により定式化した。全てナノシートの状態の結合長,曲げ長さ,バンドギャップエネルギーと密度を計算した。に加えて,すべての光学的パラメータ(誘電関数,光学伝導率,エネルギー損失関数,吸収係数,反射率,屈折率と消衰係数の実数部と虚数部)を計算した。光学結果から,光学的性質は平行および垂直の電場分極のための等方的であった。さらに光学伝導率計算は,純粋およびドープしたAlNナノシートは半導体特性を有することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  平面波 ,  屈折率 ,  核間距離 ,  *ナノシート ,  *ガリウム ,  *光学的性質 ,  吸収係数 ,  *ドーピング ,  誘電関数 ,  密度汎関数法 ,  反射率
準シソーラス用語： 消衰係数 ,  光学伝導率 ,  一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DFT ,  ナノシート ,  電子的性質 ,  光特性 ,  状態の密度

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  ドープ ,  AlN ,  ナノシート ,  電子 ,  光学的性質 ,  置換