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J-GLOBAL ID:201702256548621055   整理番号:17A0348832

種々の基板温度でのパルスレーザ蒸着により成長させたNb薄膜の形態と構造【Powered by NICT】

Morphology and Structure of Nb Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition at Different Substrate Temperatures
著者 (5件):
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巻: 32  号: 11  ページ: 1192-1196  発行年: 2016年 
JST資料番号: T0871A  ISSN: 1005-0302  CODEN: JSCTEQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,種々の基板温度でのパルスレーザ蒸着によりNb薄膜の作製,300~660Kの範囲を報告した。基板温度の変化はSi(100)基板表面に優れたNb薄膜接着を有意に影響しないが,570Kまでの基板温度の増加は,形態と粗さの点で成長した膜の改善を促進する。このような改善は,減少した表面粗さを持つ広い柱状構造の形成を通して達成され,約5nmであり,走査電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡により示された。570K以上の温度の使用は,膜内の不規則構造の形成による基板粗さ,SEM断面積解析によって観測されたを増加させ,材料の結晶構造に関連した改善をもたらさなかった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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