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J-GLOBAL ID：201702256552280755   整理番号：17A0579109

有望な熱電材料としてのチタン三硫化物単層: 第一原理に基づくボルツマン輸送研究

Titanium Trisulfide Monolayer as a Potential Thermoelectric Material: A First-Principles-Based Boltzmann Transport Study

著者 (7件)： ZHANG Jie (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  LIU Xiaolin (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  WEN Yanwei (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  SHI Lu (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  CHEN Rong (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  LIU Huijun (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  SHAN Bin (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 3  ページ： 2509-2515  発行年： 2017年01月25日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第1原理計算とボルツマン理論によりTiS₂₃単層の電子フォノン,および熱電特性を調査した。バルクTiS₃の寸法が小さいときはバンドギャップの変化はほとんどなく,これは,MOS₂や黒リンなどの他の2次元材料とは大きく異なる。S1原子のバンド端への寄与は無視できるので,S1部位での置換を用いて,系のキャリア濃度を調整することができる。TiS₃の異方性電子輸送は,バンド極値での電荷密度分布の相違に起因することを見出した。一方,TiS₃シートは,類似のMoS₂単層よりはるかに低い熱伝導度をもつ。軽度のキャリア濃度で,TiS₃単層は3.1の最大室温ZT値をもつ優れた熱電性能を示した。

シソーラス用語： *熱電材料 ,  *チタン化合物 ,  *硫化物 ,  単一層 ,  第一原理 ,  FET【トランジスタ】 ,  Boltzmann方程式 ,  黒リン ,  電荷分布 ,  密度 ,  熱伝導率 ,  性能指数 ,  キャリア密度 ,  輸送現象 ,  バンドギャップ ,  計算
準シソーラス用語： *チタン硫化物 ,  単層 ,  Boltzmann式 ,  電荷密度 ,  熱伝導度 ,  熱電性能指数 ,  キャリア濃度 ,  電子輸送 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱電材料 ,  チタン ,  硫化物 ,  単層 ,  第一原理 ,  輸送 ,  研究