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J-GLOBAL ID：201702256553042180   整理番号：17A1498648

Ti置換BiFeO_3薄膜の微細構造と改良された電気的性質【Powered by NICT】

Microstructure and improved electrical properties of Ti-substituted BiFeO₃ thin films

著者 (6件)： Sharma Govind N. (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi, 110054, India) ,  Sharma Govind N. (Department of Physics, Indian Institute of Technology, HauzKhas, New Delhi, 110016, India) ,  Dutta Shankar (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi, 110054, India) ,  Pandey Akhilesh (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi, 110054, India) ,  Singh Sushil Kumar (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi, 110054, India) ,  Chatterjee Ratnamala (Department of Physics, Indian Institute of Technology, HauzKhas, New Delhi, 110016, India)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 95  ページ： 223-228  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゾル-ゲル法により堆積したBiFeO_3(BFO)膜の構造と電気的性質に及ぼすFeサイトでのTi置換(0 10原子%)の影響を検討した。相純粋な(ペロブスカイト)多結晶BFO膜の格子パラメータは,それぞれTi置換によるa及びc方向で0.38%,1.43%にまで減少することが分かった。BFO膜の粒径はTi置換と共に増加することが分かった。70μC/cm~2isの最大残留分極2.5%Ti置換BFO膜で観察された。Ti置換したBFO膜(10%)の漏れ電流密度(~10~ 4cm~2~0.6MV/cmで印加電場)は純粋なBFO膜よりも三桁低いことが分かった。改善された電気的特性の理由は,酸素空格子点欠陥の影響を低減できる可能性Ti~4+イオンとFe~3+の置換によると思われる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気的性質 ,  粒径 ,  電場 ,  ゾル-ゲル法 ,  *チタン ,  *薄膜 ,  多結晶 ,  残留分極 ,  *微細構造 ,  格子定数
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  印加電圧 ,  漏れ電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A薄膜 ,  B微細構造 ,  C.X線回折 ,  D.電気的性質

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  置換 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  電気的性質