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J-GLOBAL ID:201702256577136329   整理番号:17A0936455

深準位過渡分光法によるCH_3NH_3PbI_3ペロブスカイト太陽電池における深い準位のトラップされた欠陥解析【Powered by NICT】

Deep level trapped defect analysis in CH3NH3PbI3 perovskite solar cells by deep level transient spectroscopy
著者 (13件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 1128-1133  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2306A  ISSN: 1754-5692  CODEN: EESNBY  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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CH_3NH_3PbI_3に欠陥が存在し,ペロブスカイト太陽電池の性能を劣化させる主要因の一つであることを報告した。ペロブスカイト太陽電池の効率は,種々の方法を用いて硬化欠陥によって改善されたが,ペロブスカイト層に深く捕獲された欠陥が系統的に研究されておらず,それらの機能はまだ不明である。種々に調製されたペロブスカイト太陽電池における欠陥の比較と解析は,両方の太陽電池は,二種類の深準位欠陥(E1とE2)を持つことを明らかにした。加工太陽電池ワンポット溶液では,欠陥状態E1が支配的で,E2は立方体法を用いて作製した太陽電池の主要な欠陥である。E1のエネルギーレベルはE2のそれよりも高いので,立方形太陽電池は,より高い開路電圧と効率を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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