文献

J-GLOBAL ID：201702256730577740   整理番号：17A1350657

先進パッケージング技術のための無機誘電体を有するサブミクロンCuトレースの高電気的信頼性の実証【Powered by NICT】

Demonstration of High Electrical Reliability of Sub-2 Micron Cu Traces Covered with Inorganic Dielectrics for Advanced Packaging Technologies

著者 (12件)： Kudo Hiroshi ,  Kasai Ryohei ,  Suyama Jyunichi ,  Takeda Mitsuhiro ,  Okazaki Yumi ,  Iida Haruo ,  Kitayama Daisuke ,  Sasao Toshio ,  Sakamoto Kouji ,  Sato Hiroaki ,  Yamada Shouhei ,  Kuramochi Satoru
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 1849-1854  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 再分布層(RDL)中のCu微量ピッチの積極的なスケールダウンは,改良包装で使用される高密度I/Oのための設計規則を満たすために必要とされる。このような小型RDLが,電圧と電流ストレスに対し脆弱であり,環境ストレスに加えてであろう。,例えば,電圧ストレスは電気絶縁(誘電強度)の信頼性を劣化させる。Cuのマイグレーションは微量の間の電場の急激な増加のために,かなりのなるのでCuトレースのピッチは4μm以下になるとこれは深刻な問題である。セミアディティブプロセスに基づく従来のRDL構造をこのことは,電子デバイス技術合同協議会(JEDEC)信頼性規格によって指定された性能を満たすことができない可能性がある。Cuトレースは,二種類の無機誘電体で覆われている,以前に提案された強化されたRDLは電気的および機械的信頼性の観点での先進パッケージング技術のための適切な性能を示した。Cu微量ピッチは20μmから2μmにスケールダウンした。バイアスした高加速温度と湿度ストレス試験とエレクトロマイグレーション試験を用いた電気的信頼性の観点からこの縮小された再分布層の特性解析は第1無機誘電体はCuのマイグレーションとCu表面拡散,電気絶縁とエレクトロマイグレーション抵抗を分解し,それぞれを完全に抑制したことを示した。小型増強RDLを進めている高密度ファンアウトウエハレベルパッケージングと2.5Dインターポーザ包装のために有望である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  性能分析 ,  再分布 ,  表面拡散 ,  電圧 ,  *包装技法 ,  負荷試験 ,  *銅 ,  *誘電体 ,  エレクトロマイグレーション ,  電場
準シソーラス用語： 電圧ストレス ,  電流ストレス ,  高密度 ,  スケールダウン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： パッケージング技術 ,  誘電体 ,  サブ ,  Cu ,  トレース ,  実証